Южнокорейская компания Samsung официально представила новую сверхбыструю микросхему памяти 256GB UFS 2.0. Она, предположительно, может использоваться при производстве смартфона Galaxy Note 6.
Немало пользователей любят хранить на своих смартфонах довольно большие объемы информации. И довольно часто даже 128 ГБ встроенной памяти для этих целей недостаточно. Выходом из такой ситуации является покупка карты памяти или использование облачных хранилищ, но у этих вариантов есть свои недостатки. Решить возникшую проблему взялась компания Samsung, которая выпустила новую микросхему памяти UFS 2.0 на 256 ГБ.
И характеристики новой микросхемы достаточно впечатляющие. Она способна обрабатывать до 45,000 и 40,000 тысяч операций ввода-вывода в секунду соответственно для быстрого произвольного записывания и считывания данных. Микросхема предыдущего поколения могла в секунду выполнять всего лишь 19,000 и 14,000 таких операций.
Но возможность последовательного считывания информации при скорости 850 Мб/с действительно поражает. Такой скоростью передачи данных обладают твердотельные диски SATA. И на рынке мобильной электроники достойных конкурентов новой технологии попросту нет. Последовательное записывание информации нового чипа может достигать 260 Мб/с, что ставит их на один уровень с накопителями SATA. Но такие показатели значительно выше показателей существующих карт microSD.
По словам компании Samsung, основной задачей микросхемы памяти 256GB UFS 2.0 станет просмотр видео в разрешении 4К на мобильных устройствах с большим экраном. Но если же вы отдаете предпочтение фильмам в качестве Full HD, тогда на новый чип можно записать около 47 таких видеороликов.
Характеристики новинки просто замечательные, но компания Samsung не сообщила, когда планирует выпустить устройство с использованием своей новой разработки. Но ожидается, что в этом году компания выпустит, по крайней мере, один смартфон с большим экраном под названием Galaxy Note 6. Вполне возможно, что именно он будет оснащен новой микросхемой памяти.